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絕緣變差而引入的誤差如熱電偶絕緣了，保護管和拉線板污垢或鹽渣過多致使熱電偶極間與爐壁間絕緣 ，在高溫下更為嚴重，這不僅會引起熱電勢的損耗而且還會引入干擾，由此引起的誤差有時可達上百度。熱惰性引入的誤差由于熱電偶的熱惰性使儀表的指示值落后于被測溫度的變化，在進行快速測量時這種影響尤為突出。所以應(yīng)盡可能采用熱電極較細、保護管直徑較小的熱電偶。測溫環(huán)境許可時，甚至可將保護管取去。由于存在測量滯后，用熱電偶檢測出的溫度波動的振幅較爐溫波動的振幅小。
如何判別單、雙向可控硅？先任測兩個極，若正、反測指針均不動（萬用表選電阻R*1Ω擋），可能是K或A極（對單向可控硅）也可能是TT1或TG極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
根據(jù)設(shè)計的不同，在任何地方測量的電壓從幾μV到幾百個μV不等，尤其是在多個電阻需要被設(shè)計的時候。通過DMM測量電阻時，DMM的工作原理是向電阻注入一定的電流，然后測量它的電壓降。因為電流是已知的，所以可以計算出電阻值。然后，如果存在熱電動勢，它的測量電壓將會被改變，導(dǎo)致電阻測量中的誤差。舉例：一個10Ω的電阻通過一個1mA的電流源進行測試，通常情況下將會產(chǎn)生10mV的電壓。如果電阻模塊產(chǎn)生一個100μV的熱電動勢，那么測量誤差為1%。
直 載通用規(guī)范中對直流電子負載的定義是：能吸收直流電能，并將吸收的直流電能耗散、儲存或回饋電網(wǎng)的一種電子電路裝置，該裝置所吸收的電流大小可以調(diào)節(jié)或設(shè)置，其端口輸入特性符合歐姆定律。電子負載，顧名思義，是用電子器件實現(xiàn)的“負載”功能。具體地說，電子負載是通過控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設(shè)備。電子負載類似于可以拉載電流的輸入設(shè)備，如同一個可編程的功率電阻。
而在上述這些環(huán)節(jié)中，智能變電站無疑是 核心的一環(huán)。智能變電站是由智能化一次設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)化二次設(shè)備分層構(gòu)建，是實現(xiàn)變電站內(nèi)智能電氣設(shè)備間信息共享和互操作的現(xiàn)代化變電站。智能化一次設(shè)備主要包括智能變壓器、智能高壓關(guān)設(shè)備、電子式互感器等。：智能變壓器與控制系統(tǒng)依靠通信光纖相連，可及時掌握變壓器狀態(tài)參數(shù)和運行數(shù)據(jù)。在實現(xiàn)一次設(shè)備實現(xiàn)通訊的基礎(chǔ)上，網(wǎng)絡(luò)化二次設(shè)備分層構(gòu)建還需要一個具有廣泛適用性、功能強大的通訊協(xié)議，使各種設(shè)備能通過協(xié)議實現(xiàn)互操作，才能讓變電站的智能化變?yōu)榭赡堋?br /> 應(yīng)用背景用頻裝備是現(xiàn)代化戰(zhàn)爭中的重要組成部分，在很多場合用頻裝備性能指標的高低直接決定了戰(zhàn)爭全局的勝敗。然而，在的實際 的電磁環(huán)境中，充斥著種類繁多的復(fù)雜電磁信號，雷達、、通信、敵方干擾、自然噪聲等信號。同時由于各種電磁信號的傳播受到實際地理環(huán)境的顯著影響，導(dǎo)致 電磁環(huán)境異常復(fù)雜。用頻裝備在復(fù)雜電磁環(huán)境下的性能測試成為其研制過程中的重要內(nèi)容。概括來說，武器裝備的電磁性能測試按環(huán)境不同可分為三類。